- Dotierung von Silicium durch Epitaxie, Diffusion oder Ionenimplantation. Dazu werden bervorzugt Gemische mit H2, Ar, He oder N2 verwendet (Dotiergasgemische)
- Dotierung von Si und SiO2 während der Abscheidung (CVD)
- Herstellung von GaP, GaAsP oder InP Halbleitern
Gemische von Phosphin mit anderen Gasen in genau definierten Zusammensetzungen.