- Abscheidung von kristallinen Silicium-Schichten (Epitaxie)
- Niedertemperatur-CVD
Gemische von Disilan mit anderen Gasen in genau definierten Zusammensetzungen.
H2O | ≤ 1 |
O2 | ≤ 1 |
N2 | ≤ 4 |
Chlorsilane | ≤ 0,2 |
CO2 | ≤ 1 |
KW | ≤ 1 |
m³ Gas (15 °C, 1 bar) | Liter flüssig bei Ts | kg |
1 | 2,957 | 2,664 |
0,338 | 1 | 0,901 |
0,375 | 1,11 | 1 |
Flaschenschulter: | Rot RAL 3000 |
Aufkleber: | Disilan 4.8 |
Ventilanschluss: | W 21,80 x 1/14 LH nach DIN 477 Nr. 1 |
Unter Druck verflüssigtes Gas, hochentzündlich, selbstentzündlich an der Luft | |
MAK-Wert: | nicht festgelegt |
Chemisches Zeichen: | Si2H6 |
Molare Masse: | 62.220 g/mol |
Kritische Temperatur: | 424 K (150.85 °C) |
Siedetemperatur bei 1,013 bar (Ts): | 258.85 K (-14.3 °C) |
Relative Dichte bezogen auf trockene Luft | 2.200 |